|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | GaAs Substrat | Malzeme: | Galyum Arsenid Kristali |
|---|---|---|---|
| Garanti: | Bir yıl | GTİP Kodu: | 3818009000 |
| Avantaj: | Yüksek kafes uyumlu MCT | Uygulama: | Optoelektronik ve mikroelektronik |
| büyüme yöntemi: | LEC HB | Maksimum Boyut: | çap 3" |
| Vurgulamak: | MCT GaAs Substrat,Kinheng galyum arsenit kristali,Yüksek Kafes Eşleştirme GaAs Substrat |
||
Yüksek kafes uyumlu (MCT) GaAs Substrat Tek kristal Substrat
Doping, boyut, yüzey parlatma ve diğer ürün parametreleri gibi GaAs kristal substratları ve wafer seçenekleri için lütfen bizimle iletişime geçin.
Özellikler:
| Kristal | katkılı | İletim Tipi | Akışların Konsantrasyonu cm-3 | Yoğunluk cm-2 | Büyüme Yöntemi Maksimum Boyut |
| GaAs | Hiçbiri | Si | / | <5×105 | LEC HB Çap3" |
| Si | n | >5×1017 | |||
| cr | Si | / | |||
| Fe | n | ~2×1018 | |||
| çinko | P | >5×1017 |
Avantaj:
1. Yüksek pürüzsüzlük
2.Yüksek kafes eşleştirme (MCT)
3. Düşük çıkık yoğunluğu
4. Yüksek kızılötesi geçirgenlik
Ürün çekimleri:
SSS:
1.Q: Bir fabrika üreticisi misiniz?
C: Evet, sintilatör kristal endüstrisinde 13 yıllık tecrübeye sahip bir üreticiyiz ve birçok ünlü markaya kaliteli ve hizmet sunmaktayız.
2.Q: Ana pazarınız nerede?
C: Avrupa, Amerika, Asya.
İlgili kişi: Ivan. wang
Tel: 18964119345
